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Updated: Jul 20, 2025

10:00
Gradient Echo Quantum Memory in Warm Atomic Vapor
Published on: November 11, 2013
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电气可编程多层非挥发性光子随机访问存储器
Jiawei Meng1, Yaliang Gui1, Behrouz Movahhed Nouri1
1Department of Electrical and Computer Engineering, George Washington University, Washington DC, 20052, USA.
Light, science & applications
|August 1, 2023
概括
研究人员使用一种新的相变材料开发了一种低损失,非挥发性的光子随机访问存储器 (P-RAM). 这一进步使得高效的多位光子计算能够降低功耗并改善信号完整性.
科学领域:
- 光子学是指光子学的使用方法.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 计算机工程 计算机工程
背景情况:
- 光子随机访问记忆 (P-RAM) 对于芯片上的光子计算至关重要,旨在减少光电子转换损失.
- 现有的基于相变材料 (PCM) 的P-RAM存在高光损耗和低效编程,阻碍了实际应用.
研究的目的:
- 为了演示一个多态,电程序,低损失的非挥发性光子记忆.
- 使用宽带透明的相变材料 (Ge2Sb2Se5,GSSe),在无形状态下吸收最小.
主要方法:
- 在在绝缘体平台上制造多位P-RAM,使用GSSe.
- 电气编程和记忆状态的特征,包括振幅调制和插入损失.
- 优化微型加热器的放置和可循环测试.
主要成果:
- 证明了零静电,多位P-RAM与高效的振幅调制 (0.2dB/μm).
- 实现了超低的插入损失 (4位内存的0.12dB),比现有的PCM信号损失比率提高100倍.
- 验证了设备的稳定性,具有超过50万个开关周期.
结论:
- 开发的基于GSSe的P-RAM为光子记忆提供了低损耗,非挥发性的解决方案.
- 该技术支持用于神经网络,LiDAR和传感器等应用的光子功能和可编程电路.

