Er2O3膜的热原子层沉积来自一种挥发性,热稳定的胺酸前体
Navoda Jayakodiarachchi1, Rui Liu2, Chamod D Dharmadasa1
1Department of Chemistry, Wayne State University, Detroit, Michigan 48202, USA. chw@chem.wayne.edu.
Dalton transactions (Cambridge, England : 2003)
|August 2, 2023
概括
氧化 (Er2O3) 薄膜使用原子层沉积与新型Er前体成功生长. 该过程证明了自我限制的增长和合规覆盖,这对于先进的电子应用至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 薄膜沉积的情况
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 氧化 (Er2O3) 是用于先进电子和光学应用的有希望的材料.
- 原子层沉积 (ALD) 可以精确控制薄膜生长.
- 开发新型前体是扩大ALD能力的关键.
研究的目的:
- 为了研究Er2O3薄膜的原子层沉积,使用一种新的前体,tris(1-(dimethylamino) -3,3-dimethylbut-1-en-2-olate) erbium(III) (Er(L1) 3).
- 描述沉积的Er2O3膜的生长行为,膜性质和合规性.
- 为了确定最佳的ALD窗口和生长参数.
主要方法:
- 原子层沉积 (ALD) 使用Er(L1) 3前体和水.
- 基质温度变化 (175-225 °C) 和脉冲时间优化.
- 使用X射线衍射 (XRD),X射线光电子光谱 (XPS) 和传输电子显微镜 (TEM) 的表征.
主要成果:
- 在200°C时实现了Er2O3的和性,自我限制的ALD增长.
- 一个ALD窗口被确定在175-225°C之间,增长率为~0.25 Å/周期.
- 在纳米级沟中获得了多晶Er2O3薄膜,具有固态构成和符合性覆盖.
结论:
- 这种新型的Er(L1) 3前体能够控制Er2O3薄膜的ALD.
- 沉积的薄膜表现出优异的整体性和固体测量特性.
- 这种ALD工艺适用于制造各种技术应用的高质量的Er2O3薄膜.
