植入器友好的深度大脑刺激电极的核磁共振在7 T

科学领域:

• 磁共振成像 (MRI) 和射频 (RF) 线圈技术
• 生物医学工程和医疗器械开发
• 神经科学和神经调节 神经科学和神经调节

背景情况:

• 深度大脑刺激 (DBS) 电极在MRI过程中存在高场强度的射频加热 (RF) 的风险,例如7特斯拉 (7T).
• 在植入神经刺激器的个体中,缓解射频诱导的加热对于MRI期间的患者安全至关重要.
• 现有的RF线圈优化方法可能无法充分解决DBS电极接触处的加热问题.

研究的目的:

• 提出一种新的策略,用于计算7T的多通道射频线圈的植入友好 (IF) 激发模式.
• 专门针对深度脑刺激 (DBS) 电极接触点的射频加热的缓解.
• 验证拟议的策略在接受MRI的DBS患者的临床相关性.

主要方法:

• 在DBS电极上使用B1映射技术估计诱导的RF电流来量化分散的磁场.
• 计算了与DBS电极相互作用的16通道横接射频线圈的每个通道的相对诱导电流.
• 通过找到相对诱导电流的零空间来确定IF模式,并使用幻体加热和成像研究进行验证.

主要成果:

• 单个IF模式和IF模式衍生的shim解决方案在高功率序列中没有诱导显著的温度升高.
• 相比之下,标准扫描仪工具箱闪 (基于每个频道B1字段) 导致温度增加超过2°C.
• 与传统方法相比,拟议的策略有效地减少了DBS电极接触处的射频加热.

结论:

• 已经成功地提出了一种有效的策略,用于计算7T的多通道射频线圈的IF模式.
• 该方法在减轻虚拟机内单边和双边商业DBS电极的射频加热方面表现出有效性.
• 这种方法为提高DBS系统患者7TMRI的安全性提供了有前途的解决方案.