Characteristics of MOSFET
MOSFET: Depletion Mode
MOS Capacitor
MOSFET: Enhancement Mode
Small-signal Diode Model
Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
1National Institute of Standards & Technology, Gaithersburg, MD U.S.A.
这项研究提出了一个新的模型,用于金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 中的门介电分解. 它表明缺陷的产生是通过正常的Si-O键发生的,而不是前体,由孔运输动力学启用.
09:26In Situ Time-dependent Dielectric Breakdown in the Transmission Electron Microscope: A Possibility to Understand the Failure Mechanism in Microelectronic Devices
Published on: June 26, 2015
15:47Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: