通过喷雾热解在薄膜晶体管的柔性基板上生长的晶体InGaZnO,具有出色的稳定性
Jinbaek Bae1, Arqum Ali1, Md Mobaidul Islam1
1Advanced Display Research Center (ADRC), Department of Information Display, Kyung Hee University, 26, Kyungheedae-ro, Dongdaemun-gu, Seoul 02447, South Korea.
ACS applied materials & interfaces
|August 10, 2023
概括
高度定向的晶体氧化 (c-IGZO) 是使用喷雾热解开发的,用于低成本,高流动性的薄膜晶体管 (TFT). 这种进步使高性能灵活的电子和显示器成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电子工程 电子工程
背景情况:
- 开发低成本,高流动性的氧化物薄膜晶体管 (TFT),具有出色的稳定性,对于先进的显示器至关重要.
- 副平面氧化物TFT对于高速,大面积和高分辨率显示应用是必不可少的.
研究的目的:
- 开发高度定向的,随生长的晶体氧化 (c-IGZO),氧空缺缺陷最小.
- 为了研究喷雾热化c-IGZO在高性能灵活TFT的潜力.
主要方法:
- 在425°C使用喷雾热解合成高度定向,c轴对齐的晶体InGaZnO (c-IGZO).
- 通过NF3血兴奋剂将电阻降低到0.42mΩcm.
- 在聚胺基板上制造的自排列,共平面c-IGZO TFT.
主要成果:
- 获得了具有高质量密度 (6.73 g cm−3) 并且没有无序的化层的c-IGZO.
- 已证明具有高场效移动性 (39.60 cm2 V−1 s−1),低值电压 (-1.00 V),急剧的下值摆动 (0.21 V dec−1) 和高开/关比 (>108) 的TFT.
- 环振荡器显示传播延迟为8.77 ns/阶段.
结论:
- 喷雾热解成长的c-IGZO是一种有前途的氧化物半导体,用于低成本,灵活的TFT电子产品.
- 开发的材料和制造方法适合生产高性能柔性显示器和电子设备.
