聚烯酸被动化用于增强化矿矿记忆器的光电子切换性能,用于图像布尔逻辑应用
Xiaohan Zhang1, Xiaoning Zhao1, Zhongqiang Wang1
1Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology of Ministry of Education, Northeast Normal University, Changchun 130024, China.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|August 12, 2023
概括
聚烯二 (PAN) 消极降低甲基氧化 (CH3NH3PbI3) 薄膜中的粒度边界,提高光电子记忆器的性能和高级应用的均性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 设备物理 设备物理
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 甲基化 (CH3NH3PbI3) 光电子记忆器由于在粒边界 (GBs) 的离子迁移而遭受性能波动.
- 在GBs的离子迁移中的高随机性导致电阻开关 (RS) 参数的显著变化,限制了设备的可靠性.
研究的目的:
- 开发一种被动化方法,以减少CH3NH3PbI3膜中的GBs.
- 为了提高基于CH3NH3PbI3的光电子记忆器的开关统一性和性能.
主要方法:
- 使用多烯 (PAN) 消极化技术处理CH3NH3PbI3膜.
- 在PAN处理前后的晶粒大小和GB密度的表征.
- 光电子记忆器设备的制造和测试.
主要成果:
- 添加PAN增加了CH3NH3PbI3膜的晶粒大小.
- 在CH3NH3PbI3膜中的GB数量显著减少.
- 记忆器设备的RS参数的波动大大减少,从而提高了统一性.
- 使用改进的memristors展示了非挥发式图像传感,记忆和布尔运算.
结论:
- PAN被动化是减少GBs和增强CH3NH3PbI3光电子记忆器稳定的有效策略.
- 开发的方法为创建高性能和可靠的光电子记忆器设备提供了一条途径.


