基于GaN的微棒腔中的脱位分布调节的激光模式研究
Yuyin Li1, Peng Chen1, Xianfei Zhang1
1Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|August 12, 2023
概括
研究人员在室温下在化 (GaN) 微型腔中展示了低值激光. 发现这些微激光器中的激光模式集中在线程位移 (TD) 较少的区域.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 化 (GaN) 基材料对于光电子设备至关重要.
- 制造高性能GaN微激光器是具有挑战性的,因为有诸如线程位移 (TD) 等缺陷.
- 有图案的蓝宝石基板 (PSS) 用于提高GaN晶体质量.
研究的目的:
- 为了在室温下在GaN微粒腔中演示低值激光.
- 为了研究线程位移分布对激光性能的影响.
- 了解激光模式与材料缺陷之间的关系.
主要方法:
- 在PSS上制造GaN微型腔.
- 同焦点的微光光发光谱学 (μ-PL) 分析激光的性能.
- 有限差异时间域 (FDTD) 模拟用于研究低语画廊模式 (WGM).
主要成果:
- 在直径为2μm的GaN微粒孔中实现低值激光 (最低值~0.3kW/cm2).
- 观察到,最强烈的激光WGM优先发生在TDs较少的地区.
- 相关的激光模式分布与位移密度变化.
结论:
- 在GaN微型腔中激光模式的分布受到线程位移密度的直接影响.
- 在特定地区最小化TD可以提高激光切割效率.
- 这项研究为开发高效,低值的GaN微激光器提供了见解.


