低温增强模式无形氧化物薄膜晶体管在溶液过程中使用低压制
Won Park1, Jun-Hyeong Park1, Jun-Su Eun1
1School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|August 12, 2023
概括
研究人员开发了低温可打印晶体管,使用一种用于氧化 (InOx) 半导体的新回火方法. 这一进步使得在显著降低的加工温度下实现高性能,稳定的电子设备.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电子工程 电子工程
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 对新型电子形状因子和高通量制造的日益增长的需求需要低温加工.
- 传统的半导体制造通常需要高温,限制材料选择和可扩展性.
- 无形氧化物半导体为溶液处理提供了潜力,但需要有效的低温激活.
研究的目的:
- 通过溶液加工制造低温可加工的增强模式无形氧化物薄膜晶体管 (TFT).
- 引入和验证用于氧化 (InOx) 半导体激活的简易低压回火 (LPA) 方法.
- 为了评估制造的 InOx TFT 的性能和稳定性.
主要方法:
- 处理氧化物 (InOx) 的溶液,用于制造薄膜晶体管.
- 在大约10 Torr和200 °C的新型低压回火 (LPA) 技术的应用.
- 描述TFT性能,包括开/关电流比和偏移应力稳定性.
主要成果:
- 在200°C使用LPA方法成功制造了增强模式的InOx TFT.
- 实现了卓越的开关特性,具有4.91 × 10^9.9的高开/关电流比.
- 在偏差应力下经过稳定的操作,归因于氧缺陷度降低.
结论:
- 拟议的LPA方法可以在显著低温下有效激活InOx半导体.
- 低温可加工的InOx TFT表现出卓越的性能和增强的操作稳定性.
- 这种方法对开发下一代高吞吐量可打印电子产品充满希望.
