Ab Initio 时间域研究 N-Doped Cu2O中的电荷放松和重组
Jianfeng Su1, Jiao Zhang1, Yajie Wang1
1Department of Mathematics and Physics, Luoyang Institute of Science and Technology, Luoyang 471023, China.
ACS omega
|August 14, 2023
概括
在铜氧化物 (Cu2O) 中兴奋剂产生杂质带,定位电荷载体. 这种局部化显著减缓了电子孔重组,提高了材料性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 摄影化学的使用.
背景情况:
- 铜氧化物 (Cu2O) 是一个经过充分研究的光电材料.
- 了解电荷载体动态对于优化其性能至关重要.
研究的目的:
- 研究 (N) 兴奋剂对Cu2O电子孔 (e-h) 重组动态的影响.
- 阐明杂质带和电荷定位在抑制e-h重组中的作用.
主要方法:
- 电子结构的计算研究.
- 非adiabatic分子动力学 (NAMD) 模拟来分析e-h重组.
- 分析收费分配和运输运营商的运输.
主要成果:
- 胺兴奋剂引入了一个在价值带最大值 (VBM) 上方的浅杂质带.
- 显著的电荷定位发生在N个杂质原子周围.
- N-化Cu2O具有较长的e-h非辐射重组时间尺度.
结论:
- 杂质带的形成和随后的电荷定位是抑制N-化Cu2O中e-h重组的关键机制.
- 这项研究提供了对化二氧化中载体运输机制的见解,对光电应用有益.


