使用Ni/Rh/Ni/Au p型电极的基于AlGaN的翻转芯片深紫外线LED的效率提高

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 光电学是指光电子产品.
• 半导体设备 半导体设备

背景情况:

• 基于AlGaN的深紫外线 (DUV) 发光二极管 (LED) 对各种应用至关重要.
• 传统的Ni/Au p型电极在回火后的热稳定性较差,反射性降低,限制了设备的性能.
• 在DUVLED的效率下降是一个持续的挑战,特别是在高温处理后.

研究的目的:

• 为基于AlGaN的DUV翻转芯片发光二极管 (FCLED) 开发一种热稳定和高反射率的p型电极.
• 在热应力下研究Ni/Au电极的降解机制.
• 通过改进的电极设计,提高DUV FCLED的效率和可靠性.

主要方法:

• Ni/Rh/Ni/Au和Ni/Au p型电极的制造和特征.
• 化实验 (快速热) 用于评估热稳定性.
• 光学反射度测量和特定接触电阻测试.
• 使用不同电极配置的DUV FCLED的性能评估.

主要成果:

• 由于Ni和Au的聚合,Ni/Au电极在回火后显示出显著的反射强度恶化.
• Ni/Rh/Ni/Au电极表现出了显著的热稳定性,抑制了Ni聚合.
• 与Ni/Rh/Ni/Au相比,Ni/Rh/Ni/Au电极显示出更高的反射率和更低的特定接触电阻.
• 带有Ni/Rh/Ni/Au电极的DUV FCLED显示,外部量子效率增加了13.94%,墙上插头效率增加了17.30%.

结论:

• Ni/Rh/Ni/Au电极有效地解决了在高温回火后使用 Ni/Au电极的 DUV FCLED 的效率降低问题.
• 加入一个Rh层是通过防止Ni聚合来实现热稳定的关键.
• 这种新型电极结构为基于AlGaN的高性能和可靠的DUV光电子设备提供了有前途的解决方案.