在Epitaxial Perovskite Oxide Bi2WO6薄膜中的铁电,其厚度为一个单元细胞
Song Zhou1,2, Lei Liao1,2, Lan Chen1,2
1Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China.
Nano letters
|August 17, 2023
概括
铁电能通过使用特定基板在超薄的木烯酸膜中被保留. 这一突破使得能够设计出稳定,低功耗的铁电记忆器件.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 固态化学 固态化学
背景情况:
- 在超薄膜中保留铁电力对于小型化电子设备至关重要,但由于脱极化和尺寸效应而受到阻碍.
- 铁电材料表现出自发的电极化,使其适合于非挥发性内存应用.
研究的目的:
- 为了研究在一个极其薄的,一个单元细胞厚的比斯穆特格酸 (Bi2WO6) 膜中保持平面偏振的可能性.
- 探索应变工程策略,以克服铁电材料的临界厚度限制.
主要方法:
- 一个单元细胞厚度的Bi2WO6薄膜在一个完美格子匹配的NdGaO3 (110) 基板上的表轴生长.
- 在超薄膜中分析结构稳定性和极化保留.
主要成果:
- 在一个单元细胞厚的Bi2WO6表轴膜中成功保持了稳定的平面极化.
- 使用NdGaO3 (110) 基板可以最大限度地降低应变,提高膜的稳定性.
- 剩余的两极分化归因于强大的Bi-O八面体框架抵抗结构扭曲.
结论:
- 铁电能可以通过有效的应变工程来保持超出关键厚度极限.
- Bi2WO6/NdGaO3 (110) 系统为开发节能,非挥发性铁电记忆提供了一个有前途的平台.


