在In10Se70Te20薄膜中的化诱导相变及其结构,光学和形态变化用于光电子应用

Sasmita Giri1, P Priyadarshini1, D Alagarasan2,3

  • 1Department of Engineering and Material Physics, ICT-IOC Bhubaneswar 751013 India ramakanta.naik@gmail.com.

RSC advances
|August 24, 2023
PubMed
概括

化In10Se70Te20薄膜会诱导In2Se3和In2Te3.3的相位形成. 这个过程改变了结构和光学特性,使材料适合光电子和相变装置.

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