MOS Capacitor
MOSFET: Enhancement Mode
Characteristics of MOSFET
MOSFET
Long-term Potentiation
Long-term Depression
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Myung-Hyun Baek1, Hyungjin Kim2
1Department of Electronic Engineering, Gangneung-Wonju National University, Gangneung 25457, Republic of Korea.
研究人员开发了一种新的四端突触晶体管,以克服硬件神经形态系统的局限性. 这种人工突触模仿生物功能,使先进的人工神经网络 (ANN) 算法.
科学领域:
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主要成果:
结论: