研究ZrSi2作为极端紫外线皮膜的候选材料
Seong Ju Wi1,2, Won Jin Kim1,2, Haneul Kim1,2
1Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea.
Membranes
|August 25, 2023
概括
二氧化 (ZrSi2) 薄膜作为极端紫外线 (EUV) 片非常有前途. 制造的薄膜实现了高EUV透射率和低反射率,满足半导体制造的关键要求.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光学工程是指光学工程.
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 极紫外线 (EUV) 片对于保护面具在半导体光刻过程中免受污染至关重要.
- 皮膜需要高的EUV透射率,低的反射率和出色的热力学稳定性.
- 增加EUV源功率需要先进的薄膜材料.
研究的目的:
- 通过模拟来确定EUV膜的最佳光学常数.
- 评估二氧化 (ZrSi2) 作为EUV片的候选材料.
- 为了制造和表征基于ZrSi2的EUV薄膜复合材料.
主要方法:
- 光学模拟以确定理想的光学常量.
- 共同喷射技术用于沉积ZrSi2薄膜.
- 对热,光学和机械性能进行实验评估.
主要成果:
- 基于模拟,ZrSi2被确定为合适的材料.
- 一个ZrSi2复合材料被成功制造出来.
- 获得了92.7%的EUV透射率和0.033%的反射率.
- 最终的抗拉强度达到了3.5GPa.
结论:
- ZrSi2薄膜符合EUV薄膜的严格光学和机械要求.
- 制造的ZrSi2颗粒显示出高性能和适用性.
- 这种材料为先进的EUV光刻面具保护提供了可行的解决方案.
