MOS Capacitor
The Resting Membrane Potential
Resting Membrane Potential
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Sergey Stremoukhov1,2,3, Pavel Forsh1,2, Ksenia Khabarova1,4
1P.N. Lebedev Physical Institute of the Russian Academy of Science, Leninskiy Prospect, 53, 119991 Moscow, Russia.
研究人员提出了一种使用超冷离子的新型量子记忆器. 这个设备表现出hysteresis,一个关键的memristive特征,为量子神经网络铺平了道路.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: