用于光电子应用的DMSO溶液中脉冲激光消化制备的CdS/Si异质连接的光检测特性
Fatemah H Alkallas1, Shoug M Alghamdi2, Ameenah N Al-Ahmadi3
1Department of Physics, College of Science, Princess Nourah Bint Abdulrahman University, P.O. Box 84428, Riyadh 11671, Saudi Arabia.
Micromachines
|August 26, 2023
概括
一种新的一激光废除方法在p型 (Si) 上制造出高质量的n型硫化物 (CdS) 纳米绳,用于改进的光电探测器设备. 这种CdS/Si异质连接显示出出色的光学和电气性能,性能优于其他制造技术.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 光探测器设备对于各种应用至关重要.
- 开发半导体异质连接的高效和成本效益的制造方法至关重要.
- 硫化 (CdS) 和 (Si) 是广泛使用的半导体材料.
研究的目的:
- 在p型Si (111) 光探测器设备上制造n型CdS的新型单方法.
- 描述合成的CdS纳米结构的形态,结构和光学特性.
- 为了评估用于光探测器应用的CdS/Si异质连接的性能.
主要方法:
- 在液体介质方法中使用一纳秒 (ns) 激光切除方法.
- 在二甲基硫氧化物 (DMSO) 中用硫的前体去除一个目标,形成CdS纳米绳.
- 通过旋转涂层将CdS纳米绳沉积在Si (111) 基板上,并描述了异质连接的光电子特性.
主要成果:
- 合成了高质量的,以c轴为导向的CdS纳米绳,具有良好的晶度 (约. 30纳米) 和高纯度.
- 观察到可见-近红外频谱的高透明度,CdS的直接光学带间隙为3.2 eV.
- 在光照下,CdS/Si异质连接表现出线性向前电流,低暗电流 (~4.5μA) 和显著的光电流 (高达690μA),理想系数为3.1-3.3.
结论:
- 一激光除方法成功生产了高性能CdS/Si异质连接光探测器.
- 与使用其他方法制造的设备相比,制造的设备显示出更高的性能.
- 这种方法通过修改硫化物结构,为进一步提高异质连接装置性能提供了一个有希望的途径.
相关概念视频
01:26Photochemical Electrocyclic Reactions: Stereochemistry
The absorption of UV–visible light by conjugated systems causes the promotion of an electron from the ground state to the excited state. Consequently, photochemical electrocyclic reactions proceed via the excited-state HOMO rather than the ground-state HOMO. Since the ground- and excited-state HOMOs have different symmetries, the stereochemical outcome of electrocyclic reactions depends on the mode of activation; i.e., thermal or photochemical.
Selection Rules: Photochemical Activation
Selection Rules: Photochemical Activation
01:28Diels–Alder Reaction Forming Cyclic Products: Stereochemistry
The Diels–Alder reaction is one of the robust methods for synthesizing unsaturated six-membered rings. The reaction involves a concerted cyclic movement of six π electrons: four π electrons from the diene and two π electrons from the dienophile.