种植的二氧化纳米颗粒的多功能性研究及其用于memristor设备的比较电荷存储
Shubhro Chakrabartty1, Abdulkarem H M Almawgani2, Sachin Kumar3
1Department of Electronics and Communication Engineering, Koneru Lakshmaiah Education Foundation University (K L College of Engineering), Vaddeswaram 522302, Andhra Pradesh, India.
Micromachines
|August 26, 2023
概括
这项研究为神经形态计算制造了二氧化纳米粒子. 随着成长的设备展示了有前途的电荷存储和耐久性,突出了它们对大脑启发的电子产品的潜力.
科学领域:
- 纳米科学和纳米技术
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电子工程 电子工程
背景情况:
- 记忆器件对于先进的电子设备至关重要,包括节能记忆和神经形态计算.
- 纳米级记忆动力学提供了革命性的应用潜力.
- 二氧化 (TiO2) 纳米粒子是开发这些先进设备的关键组成部分.
研究的目的:
- 使用角度翻转技术 (ATT) 制造TiO2纳米粒子.
- 研究化对TiO2纳米粒子结构和设备性能的影响.
- 评估用于大脑计算应用的电荷存储和耐力特征.
主要方法:
- 在SiO2/Si基板上通过ATT制造TiO2纳米粒子 (~10nm).
- 在550°C和950°C的化处理.
- 使用场发射扫描电子显微镜 (FEG-SEM) 和X射线衍射 (XRD) 的结构分析.
- 电气特性,包括电荷储存和耐力测量.
- 使用基于教学优化 (TLBO) 的比较分析.
主要成果:
- FEG-SEM显示了纳米粒子集群,在回火后不那么突出.
- 在已制造的样本中,XRD证实了鲁相.
- 已存储的设备显示出有希望的电荷存储和耐久性.
- 化影响了纳米粒子形态和潜在的设备性能.
结论:
- 制造的TiO2纳米粒子显示了神经形态计算应用的潜力.
- 随着设备的成长,设备的性能对大脑启发的计算特别有希望.
- 使用TLBO进行进一步的优化可以提高对这些记忆设备的理解和应用.
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