在无双矿La NiFeO 薄膜中的多层电阻开关内存

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 固态物理 固态物理
• 设备工程 设备工程

背景情况:

• 电阻开关 (RS) 设备为下一代内存技术提供了潜力.
• 开发稳定高效的RS材料对于实际应用至关重要.
• 无双氧化物是这种设备的有希望的候选者.

研究的目的:

• 在 ITO/玻璃基板上制造密和平面的拉尼菲奥3 (LNFO) 薄膜.
• 研究基于LNFO的设备的双极电阻切换 (BRS) 行为和内存稳定性.
• 探索这些设备中多层电阻开关特性的潜力.

主要方法:

• 用sol-gel方法制造LNFO薄膜.
• 制造Au/LNFO/ITO/玻璃设备结构.
• 双极电阻切换,保留和耐久性质的表征.
• 对电阻开关机制的分析,包括空间电荷有限导电 (SCLC) 和肖特基屏障调制.

主要成果:

• 在100个周期内,LNFO膜表现出稳定的双极电阻切换,并保持了30天的稳定性.
• Au/LNFO/ITO/玻璃装置显示了多级电阻切换,电阻比高达500.
• 在多层状态下,获得了优异的保留 (900秒) 和耐力 (130周期).
• 切换机制归因于氧空位 (OV) 和Au/LNFO接口上的Schottky样屏障的调制.

结论:

• 基于LNFO的设备显示出有希望的内存稳定性和耐久性.
• 在LNFO中观察多层电阻切换为高密度内存开辟了新的途径.
• 氧气空缺和接口屏障调节是这些无矿设备电阻切换行为的关键因素.