MOS Capacitor
Dielectric Polarization in a Capacitor
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Rui Zhu1,2, Huili Liang3,4, Shangfeng Liu3,5
1Songshan Lake Materials Laboratory, 523808, Dongguan, Guangdong, P. R. China. zhurui@iphy.ac.cn.
研究人员使用光敏感介电 (PSD) 架构开发了一种新的光电子记忆. 这项创新大大降低了编程电压和光学功率,使低能耗,非挥发性数据存储成为可能.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: