MOS Capacitor
Non-ohmic Devices
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Hae-In Kim1, Taehun Lee1, Yoonjin Cho1
1School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University, Daegu 41566, Republic of Korea.
新的Y2O3-Al2O3混合氧化物电阻随机访问存储器 (RRAM) 设备显示出有希望的性能. 50%的Y2O3-50%的Al2O3组成为高级内存应用提供了高阻力比率和稳定的耐久性.
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