(3D ICs) CuCu/

Yuan-Chiu Huang1, Yu-Xian Lin1, Chien-Kang Hsiung2

  • 1Institute of Electronics Engineering, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan.

PubMed
概括

先进的包装使用铜-铜结合,以获得更高的I/O密度. 这项研究回顾了低温技术,以克服铜氧化和晶圆曲面等挑战,从而实现更细的应用.

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