铁磁Co-Cr-Ga-Si表轴膜的生长和马氏体变化
Yuru Ge1,2,3,4, Klara Lünser1,2,3, Fabian Ganss1
1Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Dresden, Germany.
Science and technology of advanced materials
|September 14, 2023
概括
研究人员探索了Co-Cr-Ga-Si薄膜的重新进入的马氏体变化. 这些长长的膜显示出微设备的潜力,在奥氏体和马氏体状态下表现出独特的磁性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 薄膜技术 薄膜技术
背景情况:
- 传统的马氏体转化仅在冷却过程中从奥氏体发生到马氏体.
- 回流式马氏体转化,涉及在进一步冷却后从马氏体反向转化为奥氏体,已经引起了大量的兴趣.
- 现有的研究主要集中在批量样本上,限制了微型设备中的应用.
研究的目的:
- 调查Co-Cr-Ga-Si系统对于薄膜生长的适用性.
- 探索这些薄膜的潜力,以展现重新进入的马氏体变化.
- 在不同阶段分析Co-Cr-Ga-Si膜的磁性.
主要方法:
- 在MgO (100) 基板上的Co-Cr-Ga-Si薄膜的表面增长.
- 控制的沉积温度和沉积后的热处理以诱导马氏体转变.
- 测量磁性特性,以描述奥氏体和马氏体的状态.
主要成果:
- 在MgO (100) 基板上实现了Co-Cr-Ga-Si薄膜的表轴生长.
- 在特定的沉积或热处理条件下,在薄膜中观察到马石转化.
- 在奥氏体状态下的薄膜显示了铁磁性质,而在马氏体状态下显示了显著减少的铁磁性质.
结论:
- 同-Cr-Ga-Si薄膜适合于表轴生长,并表现出马氏体变化.
- 这些薄膜在奥氏体和马氏体阶段显示出不同的磁性行为,表明了微型设备应用的潜力.
- 这项研究开辟了探索薄膜形式的回入式马氏体变化的途径.
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