在SrRuO3膜中吸附控制的生长和磁性
Anusha Kamath Manjeshwar1, Sreejith Nair1, Anil Kumar Rajapitamahuni1
1Department of Chemical Engineering and Materials Science, University of Minnesota-Twin Cities, Minneapolis, Minnesota 55455, United States.
ACS nano
|September 14, 2023
概括
控制氧化 (SrRuO3) 薄膜中的缺陷是了解其特性的关键. 这项研究表明,高质量的 SrRuO3 薄膜的吸附控制增长,实现了创纪录的电阻率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 薄膜增长 薄膜的增长
背景情况:
- 氧化 (SrRuO3) 薄膜中的缺陷控制对于理解结构-属性关系至关重要.
- SrRuO3表现出复杂的电磁行为,受其石化和晶体结构的影响.
研究的目的:
- 为了证明阶段纯,表层和石化 SrRuO3 薄膜的吸附控制的生长.
- 为了调查 SrRuO3 电影中异常霍尔效应特征的起源.
- 为了获得高质量的SrRuO3薄膜,增强电传输特性.
主要方法:
- 固体源金属有机分子束表 (MOMBE) 用于薄膜生长.
- 电传输测量以分析电阻力和异常霍尔效应.
- 磁力测量用于描述磁域及其对电特性的影响.
主要成果:
- 通过吸附控制,在SrTiO3 (001) 基板上培养了纯相,表层和固态 SrRuO3 薄膜.
- 异常的霍尔曲线归因于具有不同极性的独特磁域结构.
- 创纪录的残余电阻比 (RRR) 达到了87的50纳米厚,张力,固态 SrRuO3 薄膜.
结论:
- 吸附控制的MOMBE是生产高质量的SrRuO3膜的有效方法.
- 了解磁域贡献对于解释 SrRuO3.3 中的电运输至关重要.
- 应变工程为进一步提高SrRuO3膜质量和性能提供了一条途径.
更多相关视频
06:49Radio Frequency Magnetron Sputtering of GdBa2Cu3O7âˆ'ÃŽ ´/ La0.67Sr0.33MnO3 Quasi-bilayer Films on SrTiO3 STO Single-crystal Substrates
Published on: April 12, 2019
7.7K
12:20Sputter Growth and Characterization of Metamagnetic B2-ordered FeRh Epilayers
Published on: October 5, 2013
14.7K
