高外部量子效率 (6.8%) 在AlN模板上的UV-ALED,具有量子屏障优化

科学领域:

• 半导体物理 半导体物理
• 光电学是指光电子产品.
• 材料科学 材料科学 材料科学

背景情况:

• 基于酸 (AlGaN) 的紫外线A (UV-A) 发光二极管 (LED) 对医疗治疗和化学传感至关重要.
• 目前的UV-A LED效率落后于可见光和UV-C同行,原因是活性区域和AlN基板之间的格子不匹配问题.

研究的目的:

• 调查量子屏障组成和厚度对基于AlGaN的UV-ALED性能的影响.
• 为了增强在LED活性区域内的应变管理和载体限制.

主要方法:

• 制造基于AlGaN的UV-ALED,具有不同的量子屏障参数.
• 描述LED性能,包括效率和波长输出.
• 应变分布和载体动态的分析.

主要成果:

• 优化的量子屏障设计导致了改进的应变管理和增强的载体限制.
• 已证明有效的UV-ALED发射在320nm和330nm之间.
• 实现了高达6.8%的外部量子效率 (EQE),这代表了这一波长范围的显著改进.

结论:

• 量子屏障的组成和厚度是提高UV-ALED性能的关键因素.
• 开发的LED结构显示了高效的UV-A光产生有希望的结果.
• 这项工作有助于推进各种应用的UV-A LED技术.