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Maarten Stam1, Indy du Fossé1, Ivan Infante2,3

  • 1Optoelectronic Materials Section, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology, Van der Maasweg 9, 2629 HZ Delft, The Netherlands.

ACS nano
|September 15, 2023
PubMed
概括

化物 (InP) 量子点 (QD) 的电子充电可以产生陷状态,特别是如果原子的协调不足. 核心外结构可以防止这种情况,为光电子应用程序提供稳定的电子充电.