在磁性拓绝缘体MnBi2Te4膜中探索表轴生长动力学和异常霍尔效应

Jiangfan Luo1, Qiwei Tong1, Zhicheng Jiang2

  • 1State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China.

ACS nano
|September 21, 2023
PubMed
概括

研究人员开发了一种简单的方法来创建高质量的MnBi2Te4膜,这对于研究拓绝缘体和量子异常霍尔效应至关重要. 控制生长速度可以防止杂质相发生,从而增强材料的性能.