建筑块启发的混合矿衍生品用于铁电通道层,具有门调节式内存行为
Haojie Xu1,2, Fapeng Sun1,2, Wuqian Guo1
1State Key Laboratory of Structure Chemistry, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou, Fujian, 350002, P. R. China.
Angewandte Chemie (International ed. in English)
|September 21, 2023
概括
研究人员开发了新的二维混合矿铁电半导体. 这些材料表现出增强的铁电和大光电流,为先进的光电子和非挥发性存储器件铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 铁电光伏为先进的光电子和记忆器件提供了潜在的潜力.
- 光活性铁电是由于光激发载体泄漏而受到疲劳的限制.
- 开发稳定,高性能的铁电材料至关重要.
研究的目的:
- 为了合成和描述新的2D混合矿铁电半导体.
- 为了研究材料厚度和铁电特性之间的关系.
- 探索这些材料在晶体管应用中的潜力,用于内存设备.
主要方法:
- 合成具有不同无机层厚度的二维混合矿: (HA) 2(MA) n-1PbnBr3n+1 (n=1-5).
- 铁电性质的表征,包括基里温度 (Tc) 和自发极化 (Ps).
- 使用n=3晶片制造和测试一个场效应晶体管,以评估光电流和内存行为.
主要成果:
- 观察到增强的基里温度与减少无机框架厚度,达到310K为n=2.2.
- 该n=3晶圆显示室温铁电 (Ps ≈1.5μC/cm2) 和一个大的短路光电流 (≈19.74μA/cm2).
- 晶体管表现出三种不同的电流状态的门调节式内存行为,由门电压 (±60 V) 调节.
结论:
- 2D混合矿提供了一个有希望的途径,以克服光活性铁电的局限性.
- 可调节的铁电和光导特性适用于下一代非易失性存储器件.
- 这项工作突显了工程矿结构在先进电子应用中的潜力.
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