不同类型ZnO:Al/n-ZnSe/p-CdTe异构结构的电气性能

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 固态物理 固态物理
• 半导体设备 半导体设备

背景情况:

• 异型异构结构对于电子设备至关重要.
• 了解电荷传输机制是设备优化的关键.
• 复杂的薄膜结构的制造带来了挑战.

研究的目的:

• 为了制造ZnO:Al/n-ZnSe/p-CdTe异型异型结构.
• 为了研究电气特性和当前的传输机制.
• 为了确定异构结构内的能量屏障分布.

主要方法:

• 高频磁铁沉积 ZnO:Al 和 n-ZnSe 薄膜.
• 在晶体p-CdTe基板上制造.
• 分析电流-电压 (I-V) 和电容-电压 (C-V) 特性.

主要成果:

• 成功制造出具有二极管特性的 ZnO:Al/n-ZnSe/p-CdTe 异构结构.
• 在低向前偏差 (<0.45 V) 的空间电荷有限电流和在更高向前偏差 (>0.45 V) 的道电流.
• 通过C-V分析观察到逆偏差 (-0.6 V) 的电流机制的转移,并确定主要的能量屏障 (qφk = 1 eV) 位于p-CdTe基板中.

结论:

• 制造的异构结构表现出不同的电流传输机制,取决于应用于电压.
• p-CdTe基板在形成异构结构的能量屏障方面发挥着主导作用.
• 一个拟议的能量图模型阐明了ZnO:Al/n-ZnSe/p-CdTe异构的行为.