在130纳米的BiCMOS技术中使用发射器进行次特拉赫兹反干扰测量和成像
Dmytro B But1, Kȩstutis Ikamas2,3, Cezary Kołaciński4,5
1CENTERA Laboratories, Institute of High Pressure Physics PAS, 01-142, Warsaw, Poland. dbut@unipress.waw.pl.
Scientific reports
|September 27, 2023
概括
使用SiGe BiCMOS技术的紧型太赫兹发射器表现出自我混合的效果. 这使得反干扰度能够用于连贯的反射类型成像,这对于太赫兹应用至关重要.
科学领域:
- 特拉赫兹 (THz) 技术的使用.
- 半导体设备物理学 半导体设备物理
- 综合光子学 综合光子学
背景情况:
- 紧的太赫兹 (THz) 源对于各种应用是必不可少的.
- 振荡器中的自我混合效应可以用于传感和测量.
- SiGe BiCMOS 技术为集成的 THz 设备提供了一个平台.
研究的目的:
- 为了研究紧的THz发射器中的自我混合现象.
- 为了证明反干涉计对于THz成像的可行性.
- 为了描述基于SiGe BiCMOS的THz源的性能.
主要方法:
- 在130nm的SiGe BiCMOS中实现差分的科尔皮特振荡器.
- 在基本波中优化发射频率.
- 基板侧辐射通过超半球透镜进行外.
- 分析因反辐射引起的偏移电流变化.
主要成果:
- 开发了两个THz源,优化为200 GHz (0.525 mW) 和260 GHz (0.325 mW).
- 自混合诱导的偏差电流变化高达几百分比.
- 通过反干扰计证明了连贯的反射类型的光扫描成像.
结论:
- 在SiGe BiCMOS THz发射器中自混合,可以进行敏感的干扰度测量.
- 反干涉测量是使用这些紧源进行THz成像的可行技术.
- 开发的THz发射器显示了集成传感和成像系统的前景.
