对最后一个具有不同含量的InGaN/GaN量子井的载体捕获能力的模拟研究,用于发射黄色光的InGaN/GaN多个量子井

Wei Liu1, Zeyu Liu1, Hengyan Zhao1

  • 1School of Microelectronics, Northwestern Polytechnical University, Xi'an 710072, China.

Micromachines
|September 28, 2023
PubMed
概括

这项研究调查了发出黄色光的印化/化 (InGaN/GaN) 多个量子井 (MQW),该研究发现更高的In含量可以提高低电流的效率,但由于Auger重组和电子泄漏,导致高电流下降.