介面电子传输对碳纳米管粘合剂发射器场电子发射的影响
Eunsol Go1, Jae-Woo Kim1, Jin-Woo Jeong1
1Intelligent Components and Sensors Research Section, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 218 Gajeong-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34129, Korea.
ACS applied materials & interfaces
|October 10, 2023
概括
在碳纳米管 (CNT) 糊发射器中优化支层显著影响场电子发射. 扩散诱导反应 (DIR) 创造了一个较低的潜在障碍,增强了排放,与扩散有限反应 (DLR) 不同.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面科学是一门学科.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 碳纳米管 (CNT) 的场电子发射对于各种电子设备至关重要.
- 在CNT和阴极基板之间的支层影响电子传输和排放效率.
- 了解支层的作用是优化CNT发射器的关键.
研究的目的:
- 为了研究碳化和纳米颗粒支层对CNT粘贴发射器的Kovar合金基板的影响.
- 分析界面电子传输机制及其对场电子发射的影响.
- 为了澄清支层对场电子发射温度依赖性的贡献.
主要方法:
- 使用X射线衍射 (XRD),X射线光电子光谱 (XPS) 和紫外线光电子光谱 (UPS).
- 执行电导度测量以评估接口属性.
- 研究了两种反应过程:在不同火条件下进行扩散诱导反应 (DIR) 和扩散有限反应 (DLR).
主要成果:
- 化过程批判性地决定了纳米颗粒和Kovar基板之间的反应路径 (DIR与DLR).
- 通过长时间预烧结实现的DIR增强了化的形成,降低了潜在屏障,并改善了电场电子发射.
- 随着最小的化,DLR会产生更高的电位屏障和更低的,更多依赖温度的场电子排放.
结论:
- 支层的特性,特别是其对界面电子传输的潜在障碍,是高达400°C的CNT发射器中温度依赖的场电子发射的主要原因.
- 通过控制化 (DIR) 优化支层对于提高CNT场电子发射性能至关重要.
- 这项研究提供了关键的见解,对控制CNT场辐射的界面现象.
