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MOSFET: Enhancement Mode
Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
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Chao Yun1,2, Zhongyu Liang1, Aleš Hrabec3,4,5
1State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, 100871, Beijing, China.
研究人员开发了一种方法,以电气控制纳米磁铁中的磁性合. 这允许在人工旋转和可编程的Ising网络中进行电压控制的相位过渡,用于先进的计算.
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结论: