使用EMIm(AlCl3) Cl和ZnO用于神经形态应用的值切换记忆设备的演示
Dongshin Kim1, Ik-Jyae Kim1, Jang-Sik Lee1
1Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang 37673, Republic of Korea.
Nanotechnology
|October 13, 2023
概括
在ZnO增强的离子突触器件中,值切换行为能够实现节能的神经计算. 人工突触的这种进步为高效的基于离子的计算系统提供了途径.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 神经科学是一个神经科学.
- 计算机工程 计算机工程
背景情况:
- 神经计算系统需要节能的突触装置.
- 人工突触模仿生物神经元,但往往缺乏高效的值切换能力.
- 离子突触装置提供模拟电阻切换,但需要增强控制.
研究的目的:
- 为了证明离子突触器件的值切换行为.
- 为了提高人工突触的能源效率.
- 为了利用材料特性来控制突触功能.
主要方法:
- 将一层氧化 (ZnO) 集成到离子突触装置中.
- 使用EMIm ((AlCl3) Cl作为具有可调节导电性的电解质.
- 使用尖端刺激来诱导值切换.
主要成果:
- 在修改的离子突触器件中成功展示了值切换行为.
- 使用ZnO和电解质之间的电阻差异调整了模拟电阻切换特性.
- 观察到突触可塑性现象,如刺激性突触后电流,配对脉冲促进,强化和抑郁.
结论:
- 将ZnO集成到离子突触器件中,可以实现高效的值切换.
- 这些设备显示出在以离子为基础的人工突触中高能效的潜力.
- 这些发现有助于开发下一代神经形态计算硬件.
关键词:
EMIm ((AlCl3)ClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClClCl在 ZnO 介层中,有 ZnO 的介层.人工突触 (Synapses) 是一个人工突触.门切换装置的门切换器更多相关视频
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