CdSe/ZnS量子点分散对8OCB液晶晶体相变态行为的影响
Aysha Rani1, Susanta Chakraborty1, Aloka Sinha1
1Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India.
Physical review. E
|October 18, 2023
概括
用量子点对液晶进行兴奋剂会改变相位过渡. 同otropic-nematic过渡仍然是弱的第一阶段,而nematic-smectic-A过渡显示了由量子点相互作用影响的非普遍行为.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 物理化学 物理化学
背景情况:
- 液晶 (LCs) 呈现出令人着迷的相变,对于显示技术至关重要.
- 量子点 (QD) 提供可调节的光学和电子特性,使它们成为有前途的剂.
- 了解LC-QD相互作用是开发基于LC的先进材料的关键.
研究的目的:
- 为了研究功能化化/硫化 (CdSe/ZnS) 量子点 (QDs) 对8OCB液晶相过渡行为的影响.
- 描述在化LC中同位素转化为阴性 (I-N) 和阴性转化为阴性-A (N-SmA) 阶段过渡的关键异常.
- 分析QD度和连接体相互作用对LC阶段行为的影响.
主要方法:
- 高分辨率的光学双断度测量.
- 温度依赖的介电异性质的表征.
- 对相位过渡的临界指数 (β和α') 的分析.
- 确定 nematic 和 smectic-A 顺序参数之间的合强度.
主要成果:
- 对于I-N过渡的顺序参数指数 (β) 保持不变 (β=0.249),表明与三临界假设一致的弱第一顺序过渡,无论QD兴奋剂如何.
- 对于N-SmA过渡,观察到特定热容量临界指数 (α') 的非通用行为,随着阴性相范围的变化而变化.
- 发现邻近的QD之间强大的联结体-联结体相互作用有效地减少了阴性相范围,并略微影响了N-SmA过渡.
结论:
- 用CdSe/ZnS QD染8OCB液晶不会改变I-N阶段过渡的基本性质.
- N-SmA阶段过渡表现出非普遍的关键行为,受LC主机和QD辅助剂之间的相互作用的影响.
- 在LC-QD复合物中,QD连接体相互作用在调节中位相范围和过渡动态方面发挥着重要作用.
