MOS Capacitor
MOSFET
Non-ohmic Devices
System of Memory
MOSFET: Enhancement Mode
Understanding Memory
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Jiajia Zha1, Yunpeng Xia2, Shuhui Shi3,4
1Department of Materials Science and Engineering, City University of Hong Kong, Hong Kong SAR, 999077, China.
这项研究介绍了一种基于的新型2D异构结构,用于神经形态计算. 该设备展示了高性能非挥发性内存,并使手写数字识别能够实现准确的多式联运储计算.
科学领域:
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主要成果:
结论: