延长工作距离的方法使用修改的光子晶体用于近场光刻
Wen-Peng Zhang1, Xiao-Tian Li1, Jin-Hong Dai1
1Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems (Chongqing University), Ministry of Education, and College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, People's Republic of China.
Nanotechnology
|October 20, 2023
概括
这项研究引入了用于近场光刻的修改光子晶体,显著延长了超分辨率纳米图案制造的工作距离. 这一进步通过更轻松地实现高分辨率图案设计,简化了制造应用.
科学领域:
- 纳米技术 纳米技术
- 光学是什么?光学是什么?光学是什么?
- 材料科学 材料科学 材料科学
背景情况:
- 近场光刻为超分辨率纳米图案制造提供了优势.
- 在传统方法中,进发波衰变限制了工作距离 (WD).
研究的目的:
- 提出一种使用修改光子晶体 (PC) 的新型光刻法方法,以克服WD的限制.
- 提高超分辨率纳米图案的制造,提高制造可行性.
主要方法:
- 将一个缺陷层嵌入到一个完全介电的多层光子晶体结构中.
- 使用修改后的PC修改光子带间隙并增强高波向量 (高k) 波.
- 分析深度亚波长模式形成和多样化的2D模式生成的能力.
主要成果:
- 扩展空气WD用于近场光刻,显著放松工程挑战.
- 在100 nm的空气WD下,制造32 nm半角图案 (λ/6) .
- 通过使用线性偏光,在单次曝光中展示了多样化的2D图案的制作.
结论:
- 改进的介电PC使近场光刻能够具有大的WD,强烈的场强度和均性.
- 该方法适用于在现实世界制造业中产生超分辨率周期性图案.
- 该设计显著提高了近场光刻的实际应用.
