操纵拓的霍尔式签名通过接口工程在表轴性鲁酸/酸异构结构的界面工程
Pinku Roy1,2, Di Zhang2, Alessandro R Mazza2
1Department of Materials Design and Innovation, University at Buffalo - The State University of New York, Buffalo, NY 14260, USA. pinkur@lanl.gov.
Nanoscale
|October 24, 2023
概括
拓保护的旋转纹理,如 skyrmions,导致拓的霍尔效应 (THE). 在SrRuO3 / La0.42Ca0.58MnO3双层中,接口合增强了THE类签名,为旋转器件提供了新的见解.
科学领域:
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 这就是Spintronics.
背景情况:
- 在拓上受保护的非微不足道的旋转纹理,如 skyrmions,对于拓的霍尔效应 (THE) 是至关重要的.
- 对于未来的节能纳米电子和自旋电子设备,THE具有显著的潜力.
- SrRuO3 (SRO) 具有复杂的磁性,包括硬磁性和软磁性.
研究的目的:
- 在SrRuO3/La0.42Ca0.58MnO3 (SRO/LCMO) 双层中研究霍尔效应.
- 了解界面磁性合和近距离影响对运输属性的作用.
- 探索SRO/LCMO异构结构中THE样签名的起源.
主要方法:
- 具有不同厚度的SRO/LCMO双层的制造和表征.
- 在双层中测量霍尔效应和异常霍尔效应 (AHE).
- 分析受界面效应影响的磁性合和运输现象.
主要成果:
- 纯SRO显示AHE受其高强制性阶段的支配.
- 软磁性LCMO的近距离效应显著影响SRO的界面磁性合和传输.
- 减少 SRO 厚度可以增强类似 THE 的特征,由于主导的近距离效应而扩大它们的温度范围.
- 类似THE的特征是由一个扩散的贝里相变模型和出现的磁态解释的.
结论:
- 在SRO/LCMO双层中的接口合对于操纵THE类签名至关重要.
- 接近效应在观察到的传输现象中起着主导作用,特别是在较薄的SRO层中.
- 这项研究为了解和控制基于SRO的异构结构中的THE效应提供了新的视角,用于先进的自旋电子应用.
