在MoAlB MAB相薄膜中存在的组合缺陷,该薄膜由高功率脉冲磁铁龙喷射产生
Rajib Sahu1,2, Dimitri Bogdanovski2, Jan-Ole Achenbach2
1Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max-Planck-Str. 1, 40237 Düsseldorf, Germany. r.sahu@mpie.de.
Nanoscale
|October 25, 2023
概括
这项研究揭示了MoAlB MAB相薄膜中的各种共存的组成缺陷,包括Mo3Al2B4和Al3Mo. 这些缺陷在合成过程中自发形成或具有低能量障碍,影响材料性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 薄膜沉积的情况
- 计算材料科学科学 计算材料科学
背景情况:
- 聚化 (MoAlB) MAB 阶段薄膜是为先进应用合成的.
- 了解各种组成缺陷的形成和共存对于控制薄膜特性至关重要.
- 之前的研究还没有完全阐明这些缺陷的热力学稳定性和形成机制.
研究的目的:
- 为了识别和描述MoAlB MAB阶段薄膜中的各种组成缺陷.
- 研究这些共存缺陷阶段的热力学可能性和形成机制.
- 分析MoAlB矩阵内的这些缺陷的原子尺度结构和群体.
主要方法:
- 高功率脉冲磁铁子在800°C时喷射,用于薄膜生长.
- 飞行时间弹性反弹检测分析 (TOF-ERDA) 用于整体薄膜组成.
- 密度功能理论 (DFT) 模拟用于热力学稳定性.
- 偏差校正扫描传输电子显微镜 (STEM) 用于原子尺度成像.
主要成果:
- 观察到多个组成缺陷 (Mo3Al2B4,Mo4Al3B4,Mo6Al5B6,Al3Mo,MoB MBene) 在MoAlB矩阵中并存.
- 4Al3B4和6Al5B6的缺陷自发形成,而3Al2B4具有低形成能量屏障 (大约2个小时),而3Al2B4是转移稳定的. 20 meV/原子) 的电压.
- 在谷物边界发现了MoB MBene缺陷,与原始MoAlB相比,显示出较大的层间距离.
结论:
- 在MoAlB MAB相薄膜中各种组成缺陷的共存在热力学上是可能的,并且在合成过程中发生.
- 在沉积过程中,表面扩散和蒸汽相凝结促进了这些缺陷的形成.
- 发现的缺陷,特别是谷物边界上的MoB MBene,可以显著影响材料的微观结构和特性.
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