从费尔米弧反铁磁 NdBiBi中迪拉克表面状态的SdH振荡
Ruoqi Wang1, Junchao Zhang1, Tian Li2
1Key Laboratory of Quantum Materials and Devices of Ministry of Education, School of Physics, Southeast University, Nanjing, 211189, China.
抗铁磁NdBi表现出可切换的费米弧和旋转的过渡. 这项研究揭示了其电子传输特性和用于自旋电子应用的磁结构操纵的洞察力.
科学领域:
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 这就是Spintronics.
背景情况:
- 抗铁磁铁 (AFM) 正在成为先进的自旋电子技术的关键材料. 最近在CuMnAs和Mn3X等材料中的发现强调了它们的潜力.
- 反铁磁体尼奥迪米比斯化物 (NdBi) 已经显示出可切换的费米弧,但其电子传输特性和磁结构操纵性仍然在很大程度上未被探索.
研究的目的:
- 为了研究NdBi.Bi.的电子传输特性.
- 为了探索NdBi.Bi中的磁性结构的操纵性.
- 了解磁体结构在观察到的电子性质中的作用.
主要方法:
- 这项研究使用了舒布尼科夫-德哈斯 (SdH) 振荡来探测狄拉克表面状态 (SS).
- 实验测量与密度函数理论 (DFT) 计算相结合.
- 磁场操纵被用来观察旋转失效过渡和歇斯底里.
主要成果:
- 舒布尼科夫-德哈斯振荡证实了2D狄拉克表面状态,在NdBi.Bi中具有非零的果相.
- 当磁场沿着[001]方向应用时,首次观察到具有显著hysteresis的旋转转变.
- DFT计算显示,迪拉克和费米弧对磁结构敏感,Nd的轨道磁矩对特殊的SSs至关重要.
结论:
- 由于其可调节的电子特性和可观测的旋转转过渡,NdBi为旋转电子学提供了一个有前途的平台.
- 这些发现揭示了带分裂效应背后的机制,并提供了有效的方法来操纵NdBi薄膜中的电子传输.
- 这项研究为开发基于反铁磁的新型自旋电子设备提供了关键的指导,这些设备使用稀土单.
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