张力单层MoTe2作为电信范围中的光子吸收器
Muhammad Sufyan Ramzan1, Caterina Cocchi1,2
1Institut für Physik, Carl von Ossietzky Universität, 26129 Oldenburg, Germany.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|October 27, 2023
概括
单轴应变显著改变单层MoTe2的电子和光学性能. 拉伸应变导致直接到间接的带隙过渡,而压缩应变可以诱导半导体到金属的过渡,从而使可调节的光子吸收.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 计算纳米科学 计算纳米科学
背景情况:
- 对二维材料的原子控制对于像valleytronics和spintronics这样的先进技术至关重要.
- 了解像MoTe2这样的材料中的结构属性关系对于其应用至关重要.
研究的目的:
- 系统地分析单轴应变对单层MoTe2.2电子和光学性能的影响.
- 研究应变引起的带隙变化,带分散,边界状态和电荷分布.
主要方法:
- 使用密度函数理论 (DFT) 的计算.
- 沿着扶手椅和齐克扎克方向应用了±10%的拉伸范围.
- 使用多体扰动理论的初始计算用于光学吸收.
主要成果:
- 拉伸应变 (>7%) 在MoTe2.2中诱导了直接到间接的带隙过渡.
- 沿着齐克扎克方向 (>8%) 的压缩应变导致半导体到金属的过渡.
- 应变方向极大地影响带隙特性和波函数分布.
结论:
- 单层MoTe2在单轴应变下表现出可调节的电子和光学特性.
- 紧张的MoTe2可以吸收电信范围的辐射,这表明它有可能成为可调节的光子吸收器.
