具有不同孔径宽度的AlGaInAs/InP多模二极管激光器的亮度
Yulia Kirichenko Bobretsova1, Dmitriy Veselov1, Alexander Klimov1
1Ioffe Institute, 194021 Saint-Petersburg, Russia.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|October 27, 2023
概括
研究人员使用AlGaInAs/InP异构结构制造了半导体激光器. 更宽的条纹宽度增加了光学功率,但降低了横向亮度,影响了激光器的性能.
科学领域:
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体设备物理学 半导体设备物理
- 材料科学 是一种材料科学.
背景情况:
- 半导体激光器对于各种应用至关重要.
- 优化激光性能需要了解设备几何效应.
- AlGaInAs/InP异构结构提供了独特的光电子特性.
研究的目的:
- 为了研究条纹宽度对半导体激光特性的影响.
- 分析光学功率和侧面亮度之间的权衡.
- 为特定应用优化激光设计.
主要方法:
- 制造带宽不同 (20-150微米) 的半导体激光器.
- 使用AlGaInAs/InP异构结构,具有超窄的波导.
- 光电流 (L-I),电流电压 (I-V),光谱和空间属性的表征.
主要成果:
- 运行光学功率从1.4W增加到4.3W,带宽更宽.
- 随着条纹宽度的增加,侧面亮度从1.09W/mm*mrad减少到0.65W/mm*mrad.
- 激光特征明显依赖条纹宽度被证明.
结论:
- 条纹宽度是一个影响半导体激光性能的关键参数.
- 更宽的条纹增强了光学功率输出.
- 对于需要高侧面亮度的应用,更窄的条纹是可取的.


