AlGaInAs/InP

Yulia Kirichenko Bobretsova1, Dmitriy Veselov1, Alexander Klimov1

  • 1Ioffe Institute, 194021 Saint-Petersburg, Russia.

PubMed
概括

研究人员使用AlGaInAs/InP异构结构制造了半导体激光器. 更宽的条纹宽度增加了光学功率,但降低了横向亮度,影响了激光器的性能.

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