Biasing of FET
Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Xiaorui Zhang1, Yi Liu1, Changqing Xu1,2
1Laboratory of Digital IC and Space Application, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China.
本研究引入了一种改进的多点故障注入方法,以提高航空航天集成电路中单事件效应 (SEE) 的仿真效率. 新方法通过验证单个工作负载执行中的多个故障来加速测试,从而改善可靠性评估.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: