一个剂量反应的特征跨脑磁刺激强度和唤起的潜在幅度在背侧前额叶皮层
Louisa Krile1,2, Elnaz Ensafi3,2,4, Jaeden Cole3,2,4
1Department of Psychology, University of Calgary, Calgary, AB, Canada.
Scientific reports
|October 31, 2023
概括
这项研究调查了跨磁刺激 (TMS) 唤起的潜力 (TEP),该研究发现N120和P200组件幅度取决于刺激强度. 间歇性爆刺激 (iTBS) 改变了N120的剂量反应关系,表明一种可塑性标记物.
科学领域:
- 神经科学是一个神经科学.
- 认知科学 认知科学
- 生物医学工程 生物医学工程
背景情况:
- 跨磁刺激 (TMS) 与脑电图 (EEG) 结合,可以直接检查人类皮质电路.
- 由TMS引起的电位 (TEP) 是由TMS引起的电痕迹,但它们对刺激强度的依赖性尚未完全理解.
研究的目的:
- 为了研究TEP组件 (N40,P60,N120,P200) 在左侧脊侧前额叶皮层中的刺激强度剂量-反应关系.
- 为了检查间歇性甲基突破刺激 (iTBS) 后这些剂量反应关系的可塑性.
主要方法:
- 19名健康成年人在静止运动值 (RMT) 的110%,120%和130%时接受了TMS-EEG.
- 在iTBS之前和之后提取了TEP振幅 (600脉冲,80%RMT).
主要成果:
- N120和P200组件振幅显示了刺激强度与剂量反应的关系;N40和P60没有.
- iTBS没有改变N40,P60或P200剂量反应关系.
- iTBS选择性地修改了N120的剂量反应,在较低的强度下降了峰值幅度.
结论:
- TEP组件表现出异质的刺激强度剂量-反应关系,影响实验标准化.
- 在iTBS后修改后的N120剂量反应可能成为临床和研究环境中神经可塑性的新标志物.
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