抗铁电 AgNbO3 @KH550 合PVDF/PMMA复合材料具有高储能性能
Zhuo Wang1, Jinteng Kang1, Dan Wu1
1School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Key Laboratory of Green Preparation and Functionalization for Inorganic Materials, Shaanxi University of Science and Technology, Xi'an, 710021, China.
Macromolecular rapid communications
|October 31, 2023
概括
这项研究通过优化聚合物混合物和结合修改的AgNbO3陶颗粒来增强抗铁电复合材料的能量储存. 由此产生的复合膜具有更好的介电特性和高能量存储密度.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 陶和聚合物 陶和聚合物
- 储能 储能 储能 储能 储能 储能
背景情况:
- 反铁电陶提供高能量储存,但面临诸如聚合物复合材料中的聚合等挑战.
- 提高陶填充剂和聚合物矩阵之间的兼容性对于提高性能至关重要.
研究的目的:
- 为了提高抗铁电复合材料的储能性能.
- 为了研究聚合物矩阵组成和填充剂修改对复合材料性能的影响.
主要方法:
- 用KH550合剂修改AgNbO3抗铁电陶填充剂.
- 混合聚乙烯化物 (PVDF) 和聚甲基甲酸 (PMMA) 作为聚合物矩阵.
- 系统地研究由此产生的复合材料的结构,介电和储能特性.
主要成果:
- 在PVDF和PMMA之间的最佳兼容性,由于结合,在PVDF的30%重量下实现.
- 经过修改的AgNbO3填充剂和优化的聚合物矩阵导致了430kV mm-1.1的破裂强度.
- 该AgNbO3/PVDF/PMMA复合物实现了14.35 J cm−3.3的高能量储存密度.
结论:
- 修改后的抗铁电填充剂和优化的聚合物混合物的协同效应显著增强了复合材料的能量储存.
- 开发的复合材料显示出对高性能储能应用的前景.
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