缓解在电子不透明基板上的偏差校正电子束光刻的挑战
Fernando E Camino1, Nikhil Tiwale1, Sooyeon Hwang1
1Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY 11973, United States of America.
Nanotechnology
|November 2, 2023
概括
偏差校正电子束光刻 (AC-EBL) 在厚基板上实现纳米分辨率. 膜的近距离效应限制了特征大小,但基板厚度对量子设备制造的图案质量影响最小.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 物理 物理学 物理
背景情况:
- 偏差校正电子束光刻 (AC-EBL) 显示在薄膜上具有高分辨率.
- 在厚基板上的AC-EBL对于量子设备的上下制造至关重要.
研究的目的:
- 在厚厚的,电子不透明的基板上研究AC-EBL性能.
- 解决暴露前光束对厚基板进行聚焦的挑战.
- 评估基板厚度对纳米尺度图案的影响.
主要方法:
- 使用200keV偏差校正扫描传输电子显微镜测量了光刻点扩散函数.
- 在SiO2/Si基板上的聚 (甲基甲酸) (PMMA) 中制造的正负图案.
- 在SiNX/Si基板上打印了孔阵列,使用开发的聚焦方法使用不同的Si厚度.
主要成果:
- 在厚厚的基板上成功实现了AC-EBL,克服了暴露前聚焦问题.
- 在SiNX/Si.上在PMMA中实现了26nm孔阵列.
- 来自50nmSiNX膜的近距离效应,分辨率仅限于20nm距离.
- 基板厚度对图案质量的影响很小,直到20纳米的距离极限.
结论:
- 在量子设备的厚基板上,AC-EBL可用于纳米尺度的图案.
- 需要新的电阻来减轻更细微的特征的近距离效应.
- 开发的方法改进了AC-EBL,专注于具有挑战性的基板.
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