厚度变化不敏感的近红外量子点LED
Wan-Shan Shen1, Yang Liu1, Luke Grater2
1Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, Suzhou 215123, China.
Science bulletin
|November 2, 2023
概括
体量子点 (CQD) 近红外发光二极管 (NIR-LED) 现在在广泛的辐射层厚度范围内显示稳定的性能. 这一突破提高了可重现性,并为先进的NIR-LED应用实现了高外部量子效率 (EQE).
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 体量子点 (CQD) 对近红外发光二极管 (NIR-LED) 是有前途的,因为它具有可调的发光和高量子效率.
- 目前的NIR-LED遭受了显著的外部量子效率 (EQE) 降低与排放层厚度 (EMLT) 的变化,限制可重现性.
研究的目的:
- 在广泛的EMLT中开发具有稳定的EQE性能的NIR-LED.
- 为了克服基于CQD的NIR-LED中的厚度依赖的载波重组和电流密度问题.
主要方法:
- 在I型无机中封装CQD,以促进辐射重组.
- 用双功能连接剂对CQD膜进行后处理,以平衡电荷载体的移动性.
- 用不同的EMLT (40-220nm) 制造和表征NIR-LED.
主要成果:
- 在40-220 nm的EMLT范围内,实现了EQE变化低于15%的NIR-LED.
- 获得了~11.5%的峰值EQE,具有80%的光发光量子产量.
- 证明了平衡的电子和孔移动性 (分别为8.23 × 10−3 和 7.0 × 10−3 cm2 V−1 s−1).
- 在CQD NIR-LED中报告了第一个EMLT不变的EQE.
结论:
- 开发了高效和可重复的CQD NIR-LED,具有前所未有的EMLT容忍度.
- 取得的性能代表了CQD NIR-LED技术的重大进步,特别是对于具有更厚活性层的设备.
