通过扫描凯尔文探针显微镜获得的门偏差电压下的五纪薄膜表面潜力的局部映射
1Department of Mechatronics Engineering, Konkuk University Glocal Campus, Chungju, Republic of Korea.
Microscopy research and technique
|November 3, 2023
概括
五纪薄膜中的粒度边界充当孔陷,显示较低的电潜和导电性. 应用门电压会改变陷占用率,影响膜特性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面科学是一门学科.
- 有机电子 有机电子
背景情况:
- 五烯薄膜是重要的有机半导体.
- 了解它们的微观结构-电气特性是设备性能的关键.
- 谷物边界 (GB) 显著影响运输费用.
研究的目的:
- 为了绘制五纪薄膜的局部表面潜力.
- 为了将表面潜力与地形和微观结构特征相关联.
- 调查谷物边界在运输负担中的作用.
主要方法:
- 扫描凯尔文探针显微镜 (SKPM) 用于表面电位映射.
- 同时获取表面地形图.
- 导电性原子力显微镜 (C-AFM) 用于评估导电性变化.
主要成果:
- 低门电压时的表面电位与地形相关,GBs时的电位较低.
- GBs充当孔陷,与谷物内部相比,其导电性较低,这一点得到了证实.
- 增加的门电压降低了潜在的不均性,表明了修改的陷占用率.
结论:
- 五世纪薄膜中的粒度边界可以作为洞陷.
- SKPM和C-AFM提供了对微观结构-电气性质相关性的洞察.
- 门电压调制提供了一种方法来影响太纪电影中的陷行为.
