抑制埋藏的接口非辐射重组损失向高效的反三化太阳能电池
Guojie Chen1, Yandi Luo1,2, Muhammad Abbas1
1Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, Guangdong, 518060, China.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
|November 3, 2023
概括
抗三化 (Sb2Se3) 太阳能电池通过接口和异质连接工程提高了效率. 这种方法最大限度地减少了重组损失,提高了电力转换效率,以获得更好的光伏性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 太阳能光伏发电是如何实现的
- 薄膜技术 薄膜技术
背景情况:
- 抗三化 (Sb2 Se3) 在太阳能应用中表现出有前途的光电子特性.
- 由于散装和界面再组合而导致的载体运输损失显著限制了Sb2 Se3太阳能电池的功率转换效率 (PCE).
研究的目的:
- 通过解决载体运输损失来提高Sb2 Se3太阳能电池的性能.
- 通过协同界面和异质连接工程来优化薄膜生长动力学和波段对齐.
主要方法:
- 埋葬接口和异质连接工程的协同应用.
- 控制前体膜的方向,以促进Sb2 Se3膜的首选 (hk1) 增长.
- 最小化界面陷辅助的非辐射重组和优化异质连接带对齐.
主要成果:
- 实现了Sb2 Se3电影的首选导向成长.
- 成功地减少了接口重组和优化了带对齐.
- 开发了一种具有9.24%的PCE记录的冠军设备,具有29.47 mA cm-2的短路电流密度 (JSC) 和63.65%的填充因子 (FF) 的Sb2 Se3太阳能电池.
结论:
- 接口和异质连接工程的结合方法在制造高质量的Sb2 Se3薄膜方面是有效的.
- 这一策略显著提高了基于Sb2Se3的太阳能电池的性能,为喷雾设备设定了新的基准.
- 该研究为未来开发高效的Sb2 Se3光伏技术提供了有价值的框架.
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