铁电 2D γ-In2Se3半导体的大面积增长,用于下一代记忆的喷雾热解
Taebin Lim1, Jae Heon Lee2, Donggyu Kim2
1Advanced Display Research Center (ADRC), Department of Information Display, Kyung Hee University, Seoul, 02447, South Korea.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
|November 6, 2023
概括
现在可以使用喷雾热解来大面积制造用于下一代内存设备的化 (In2Se3) 薄膜. 这种技术可以创建具有出色性能和均性的化铁电半导体场效应晶体管.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 化 (In2Se3) 是一种2D铁电半导体,有可能用于先进的存储器件.
- 在实际应用中,In2Se3的大面积制造仍然是一个重大障碍.
研究的目的:
- 开发一种可扩展的方法来生产大面积的In2Se3薄膜.
- 制造和描述基于In2Se3的铁电半导体场效应晶体管 (FeS-FETs) 用于内存应用.
主要方法:
- 喷雾热解技术用于在大面积玻璃基板 (15厘米×15厘米) 上生长In2Se3薄膜.
- 多晶 γ-In2Se3 薄膜在275°C的基板温度下沉积.
- 进行了In2Se3 FeS-FET的制造和电气表征.
主要成果:
- 大面积多晶 γ-In2Se3 薄膜的成功生长.
- 在In2Se3 FeS-FET中,其显著的hysteresis窗口为40.3V.
- 设备显示出出色的统一性,高电子场效应移动性 (0.97 cm2 V-1 s-1),以及高的开/关电流比率 (>10^7).
结论:
- 喷雾热解是一种可行的技术,用于可扩展的In2Se3薄膜的生产.
- 展示的In2Se3 FeS-FET显示了下一代电子设备的有希望的内存行为.
- 这项工作为将二维铁电半导体集成到大面积电子应用中铺平了道路.
