唤醒免费超薄铁电器Hf0.5Zr0.5O2 电影

Anastasia Chouprik1, Vitalii Mikheev1, Evgeny Korostylev1

  • 1Moscow Institute of Physics and Technology (National Research University), Institutskii per. 9, 141701 Dolgoprudny, Russia.

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概括

研究人员开发了一种方法,通过设计内部内置电场,在超薄的氧化 (HfZrOx) 薄膜中稳定铁电. 这种方法防止了有害的唤醒效应,使稳定的铁电特性成为先进的存储器件的关键.